В. В. Трегулов, В. А. Степанов, “Исследование поверхностных состояний в фотоэлектрических преобразователях солнечной энергии на основе гетероструктуры CdS/Si(p)”, Известия высших учебных заведений. Поволжский регион. Физико-математические науки, 2011, выпуск 3,страницы 140

Физика

Исследование поверхностных состояний в фотоэлектрических преобразователях солнечной энергии на основе гетероструктуры CdS/Si(p)

В. В. Трегулов, В. А. Степанов

Рязанский государственный университет имени С. А. Есенина, Рязань

Аннотация: Представлен метод измерения спектра энергетической плотности поверхностных состояний в фотоэлектрических преобразователях солнечной энергии на основе гетероструктур. Приведены результаты исследования поверхностных состояний в гетероструктуре CdS/Si(p), изготовленной методом гидрохимического осаждения.

Ключевые слова: гетероструктура, фотоэлектрический преобразователь, глубокие уровни, релаксационная спектроскопия, рекомбинация, поверхностные состояния.

УДК: 621.383.51