Влияние облучения гамма-квантами на свойства p-n-переходов на основе GaAs

При облучении образцов на основе GaAs гамма-квантами с энергией 1,25 МэВ было выявлено, что в образцах с дозой 0,3 Мрад, происходит уменьшение количества дефектов. Для анализа экспериментальных данных применялась такая физическая величина, как приведенная скорость рекомбинации, которая обратна к времени жизни носителей заряда.