Способ измерения элементного распределения по глубине поликристаллических пленок Cu(In,Ga)Se$_2$

Приведены результаты исследования, демонстрирующие возможности по измерению распределения элементов в фотовольтаических пленках Cu(In,Ga)Se$_2$ на основе комбинирования рентгенофлуоресцентного анализа и метода “края ножа”. Достигнуто субмикронное разрешение по глубине, которое определяется особенностями геометрии измерения, использования поликапиллярной оптики для эффективной фокусировки излучения от рентгеновской трубки мощностью 30 Вт в пятно размером 20-25 мкм, а также полнопольного детектора рентгеновского излучения с пространственным разрешением 48 мкм. Преимуществом предлагаемого подхода является неразрушающий характер, при этом точность измерения толщины слоев Сu, Ga и Se на реальном образце была на уровне 12-14%.