Т. М. Бурбаев, Е. А. Бобрик, В. А. Курбатов, М. М. Рзаев, Н. Н. Сибельдин, В. А. Цветков, Ф. Шэффлер, “Электронно-дырочная жидкость в напряженных SiGe-слоях кремниевых гетероструктур”, Письма в ЖЭТФ, 2007, том 85, выпуск 7,страницы 410

Эта публикация цитируется в 22 статьях

КОНДЕНСИРОВАННЫЕ СРЕДЫ

Электронно-дырочная жидкость в напряженных SiGe-слоях кремниевых гетероструктур

Т. М. Бурбаев^a, Е. А. Бобрик^a, В. А. Курбатов^a, М. М. Рзаев^a, Н. Н. Сибельдин^a, В. А. Цветков^a, Ф. Шэффлер^b

^a Физический институт им. П. Н. Лебедева РАН
^b Institut für Halbleiter- und Festkörperphysik, J. Kepler Universität Linz, A-4040 Linz, Austria

Аннотация: Обнаружена электронно-дырочная жидкость (ЭДЖ) в тонких напряженных $\rm{SiGe}$-слоях гетероструктур $\rm{Si/Si_{1-\emph x}Ge_ph x/Si}$. Определены плотность и энергия связи ЭДЖ, которые из-за наличия внутренних напряжений в $\rm{SiGe}$-слое существенно меньше, чем у ЭДЖ в объемном монокристалле твердого раствора такого же состава. Из экспериментальных данных оценена критическая температура перехода экситонный газ – ЭДЖ. При температурах, превышающих критическую, и высоких уровнях возбуждения имеет место переход Мотта: экситонный газ – электронно-дырочная плазма.

PACS: 73.20.Mf, 78.67.-n

Поступила в редакцию: 28.02.2007