Особенности перехода полупроводник – метал в GaAs при сверхвысоком давлении: новые промежуточные фазы

С помощью метода термоэдс (эффекта Зеебека) экспериментально исследован переход полупроводник – металл (П-М) в монокристаллах арсенида галия GaAs $n$- и $p$-типа, происходящий при сверхвысоком давлении $P$ выше $\sim11\text{--}18\,$ГПа. Обнаружено, что в образцах $n$-типа переход начинается при меньших давлениях. В области фазового перехода П-М наблюдались особенности на зависимостях термоэдс $S(P)$, свидетельствующие об образовании промежуточных решеток между исходной полупроводниковой структурой цинковой обманкой и металлической орторомбической фазой высокого давления $Cmcm$. По аналогии с ZnTe, высказаны предположения, что одна промежуточная фаза (полупроводниковая с дырочным типом проводимости) имеет структуру киновари, а вторая (полуметаллическая с электронным типом проводимости), возможно, структуру SC16. Обсуждается модель перехода П-М. Сопоставляется поведение термоэлектрических свойств под давлением в GaAs и других полупроводниках $\mathrm{A_NB_{8-N}}$, также испытывающих переход в металлическое состояние.