Энергетическая релаксация горячих носителей в однослойных углеродных нанотрубках на поверхностных оптических фононах подложки

Предложен новый механизм энергетической релаксации горячих носителей в однослойных углеродных нанотрубках: рассеяние с испусканием поверхностных оптических фононов в полупроводниковую подложку. Теория включает внутриподзонное и межподзонное рассеяния вперед и назад. Аналитический результат и численные данные показывают, что процесс внутриподзонного рассеяния вперед является основным: соответствующее время жизни составляет несколько фемтосекунд для кварцевой подложки и позволяет считать этот механизм энергетической релаксации доминирующим для нанотрубки на поверхности полярного полупроводника или диэлектрика.