Индуцированные микроволновым излучением гигантские осцилляции магнетосопротивления и состояние с нулевым сопротивлением в двумерной электронной системе со средней величиной подвижности

Исследовано влияние микроволнового поля в диапазоне частот от 54 до 140 ГГц на магнетотранспорт в GaAs квантовой яме с AlAs/GaAs сверхрешеточными барьерами, подвижность электронов в которой не превышала $10^6\text{\,см}^2/\text{Вс}$. В изучаемой двумерной системе обнаружены гигантские осцилляции сопротивления, возникающие под действием микроволнового излучения, положение которых в магнитном поле определяется отношением частоты излучения к циклотронной частоте, ранее наблюдавшиеся лишь в GaAs/AlGaAs гетероструктурах с существенно большей подвижностью. Установлено, что при облучении исследуемых образцов микроволновым полем на частоте 140 ГГц сопротивление в основном минимуме этих осцилляций, расположенном вблизи циклотронного резонанса, принимает значение, близкое к нулю. Полученные результаты указывают на то, что подвижность величиной менее $10^6\text{~см}^2/\text{Вс}$ не является фактором, препятствующим возникновению в двумерной системе под действием микроволнового излучения магнетополевых состояний с нулевым сопротивлением.