Индуцированное микроволновым излучением магнетополевое состояние с нулевой проводимостью в GaAs/AlAs дисках Корбино и мостиках Холла

Исследована микроволновая фотопроводимость двумерного электронного газа в GaAs/AlAs гетероструктурах при температуре 4.2 К в магнитных полях до 1.5 Тл. Обнаружено, что в GaAs/AlAs дисках Корбино под действием микроволнового излучения на частоте 130.70 ГГц возникает магнетополевое состояние с нулевой проводимостью, ранее наблюдавшееся только в GaAs/AlGaAs дисках Корбино с существенно большей электронной подвижностью и меньшей концентрацией. Показано, что микроволновая фотопроводимость в области сильных магнитных полей, измеренная на дисках Корбино и вычисленная из результатов измерения на мостиках Холла, может существенно отличатся. Обнаруженное различие объясняется тем, что условия возникновения магнетоплазмонов, влияющих на величину и характер микроволновой фотопроводимости (фотосопротивления), в дисках Корбино и мостиках Холла неэквивалентны.