Асимметричный реконструкционный фазовый переход $c(4\times4)\to\gamma(2\times4)$ на поверхности (001) GaAs

Экспериментально исследован фазовый реконструкционный переход $c(4\times4)\to\gamma(2\times4)$ на поверхности (001)GaAs. Показано, что фазовый переход является переходом первого рода. Обнаружена сильная асимметрия гистерезиса фазового перехода. В рамках теории среднего поля фазового перехода, индуцированного адсорбцией, различия прямого и обратного хода гистерезиса объяснены существенным вкладом латерального многочастичного взаимодействия в адсорбате.