Экспериментальное определение длины пробега экранированных краевых магнитоплазменных возбуждений в двумерном электронном газе

Проведено исследование магнито-осцилляций фотонапряжения, возникающих в двумерной электронной системе с задним затвором при микроволновом облучении. Осцилляции являются следствием интерференции экранированных краевых магнитоплазменных волн (КМП). Путем анализа зависимости амплитуды осцилляций от электронной плотности количественно определяется длина пробега КМП. Исследованы зависимости длины пробега КМП от концентрации двумерных электронов, частоты микроволнового излучения, времени электронной релаксации и величины магнитного поля. Установлено, что полученные зависимости находятся в качественном согласии с существующими теоретическими расчетами.