Кулоновская блокада и термоэдс подвешенной квантовой точки

На основе двумерного электронного газа в ALGaAs/GaAs мембране, отделенной от подложки, создан одноэлектронный транзистор, работающий на эффекте кулоновской блокады – двухбарьерная структура с квантовой точкой. Отрыв образца от подложки, обладающей высокой диэлектрической проницаемостью, привел к резкому снижению полной емкости $C$ квантовой точки и, как следствие, к высокой зарядовой энергии $E_C=e^2/C$ и критической температуре $T_C=E_C/k_B\approx40$ K. Зависимость проводимости квантовой точки от тянущего и затворного напряжений имеет ромбовидную структуру, характерную для эффекта кулоновской блокады. Обнаружена термоэдс фононного увлечения в данной системе, которая имеет аномальную знакопеременную зависимость от затворного напряжения и интенсивности потока фононов. Предложены возможные механизмы, объясняющие указанные аномалии термоэдс.