Пикосекундная релаксация носителей в гетероструктурах 2-го типа ZnSe/BeTe

На основании исследования быстрой кинетики люминесценции с высоким временным разрешением изучена релаксация фотовозбужденных носителей в процессе формирования пространственно разделенных слоев электронов и дырок в гетероструктурах 2-го типа ZnSe/BeTe. Измерены времена ухода дырок $\tau$ из слоя ZnSe в структурах с различной толщиной слоя ZnSe ($\tau=2.5$, 7.5 и 23 пс для толщин $d=10$, 15 и 20 нм, соответственно). Показано, что увеличение времени $\tau$ может быть объяснено уменьшением скорости ухода фотовозбужденных дырок из нижнего надбарьерного уровня в слое ZnSe в слой BeTe с ростом толщины слоя ZnSe.