Фонон-поляритонные волны на поверхности кристалла SiC

Исследовано возбуждение и распространение бегущих фонон-поляритонных волн на поверхности карбида кремния (SiC), облучаемой светом на частоте, близкой к решеточному резонансу, которые возбуждаются в присутствии границы, нанесенной на поверхность кристалла металлической маски. Показано, что в данных экспериментальных условиях использование функции Грина дает хорошее количественное согласие с наблюдаемым распределением амплитуды и фазы поля на поверхности. Показано, что одно лишь рассмотрение границы маски как протяженного источника бегущих поверхностных волн, нарушающего запрет генерации волн по несовпадению волнового вектора, не дает возможности количественного описания явления. Пространственное разрешение использованного SNOM не хуже 150 нм на длине волны 10 мкм.