Спин-зависимая фотоэмиссия, обусловленная скачком $g$-фактора электронов на интерфейсе $p$-GaAs(Cs,O)-вакуум

Экспериментально обнаружено, что в присутствии магнитного поля вероятность выхода электронов из $p$-GaAs(Cs,O) в вакуум зависит от знака циркулярной поляризации возбуждающего света. Основной причиной эффекта является скачок $g$-фактора электронов на границе полупроводник – вакуум (от $g^*=-0.44$ в GaAs до $g_0=2$ в вакууме). В результате скачка $g$-фактора величина эффективного электронного сродства оказывается зависящей от взаимной ориентации спина оптически ориентированных электронов и магнитного поля, что и приводит к спин-зависимой фотоэмиссии.