Резонансное комбинационное рассеяние света в наноструктурах с квантовыми точками InGaAs/AlAs

Экспериментально исследовано комбинационное рассеяние света оптическими фононами в наноструктурах $\mathrm{In_xGa_{1-x}As}$/AlAs с квантовыми точками состава $x=0.3\div1$ в условиях выходного резонанса. Обнаружены особенности, обусловленные рассеянием GaAs- и InAs- подобными оптическими фононами в квантовых точках, и определены частоты фононов в зависимости от состава точек. С увеличением энергии возбуждения наблюдается красный сдвиг частоты GaAs-подобного фонона в квантовых точках, что свидетельствует о комбинационном рассеянии света, селективном по размеру квантовых точек. В резонансных условиях наблюдалось многофононное рассеяние света вплоть до третьего порядка оптическими и интерфейсными фононами, включая обертоны фононов первого порядка материалов InGaAs и AlAs и их комбинации.