Фотоуправляемая магниторезонансная пластичность $\gamma$-облученных кристаллов KCl:Fe

Обнаружено фотоуправляемое резонансное уменьшение микротвердости, вызванное приложением взаимно перпендикулярных постоянного и микроволнового магнитных полей в $\gamma$-облученных кристаллах KCl:Fe. Установлено, что магнитопластичность кристаллов $\gamma$-KCl:Fe, не подвергавшихся фотоэкспозиции, обусловлена резонансным влиянием магнитных полей на два типа примесных центров: 1) центры, содержащие ионно-вакансионные пары Fe$^{2+}$-$v_c$, 2) центры, содержащие ионы Fe$^+$. Освещение кристаллов $\gamma$-KCl:Fe $F$-светом (с длиной волны $\lambda=500$–$600\,$нм) приводит к перестройке спектра электронного парамагнитного резонанса, детектируемого по изменению микротвердости. Влияние $F$-света на спектры магниторезонансной пластичности заключается в подавлении спектров ионов Fe$^{2+}$-$v_c$ с эффективными $g$-факторами 7.0 и 3.5 в результате их рекомбинации с $F$-электронами и восстановления до центров Fe$^+$ c $g$-факторами $2.2$ и $4.1$.