Электронно-дырочная жидкость и экситонные молекулы в квазидвумерных SiGe-слоях гетероструктур Si/SiGe/Si

В квантово-размерных SiGe-слоях гетероструктур Si/Si$_{1-x}$Ge$_{x}$/Si II рода обнаружена электронно-дырочная жидкость (ЭДЖ), состоящая из квазидвумерных дырок в квантовой яме в SiGe-слое и квазитрехмерных электронов, также находящихся в этом слое. Определены концентрации дырок и электронов в ЭДЖ, равные $p_0\approx 8.5\cdot10^{11}$ см$^{-2}$ и $n_0 \approx4.8\cdot10^{18}$ см$^{-3}$, соответственно. Показано, что газовая фаза состоит из экситонов и экситонных молекул. Установлены требования к зонным параметрам структуры, при выполнении которых возможно образование ЭДЖ и биэкситонов.