Атомные реконструкции и электронные состояния на поверхности GaAs(001) с адсорбированными слоями сурьмы и цезия

В экспериментах по адсорбции и термодесорбции цезия на поверхностях GaAs(001) с различными атомными реконструкциями и составом (обогащенных катионом – галлием, и анионами – мышьяком и сурьмой) установлена корреляция в поведении атомной структуры и поверхностных электронных состояний, определяющих изгиб зон. Адсорбция Cs на анион-обогащенных поверхностях приводит как к сходному разупорядочению атомной структуры, так и к близким дозовым зависимостям изгиба зон, в то время как на Ga-обогащенной поверхности адсорбция происходит упорядоченно и приводит к качественно иной дозовой зависимости, содержащей несколько максимумов и минимумов. При десорбции цезия и в последующих адсорбционно-десорбционных циклах обнаружено стабилизирующее влияние сурьмы на атомную структуру и электронные состояния поверхности Cs/Sb/GaAs(001).