К вопросу о времени развития параметрической неустойчивости при поляритон-поляритонном рассеянии в планарном полупроводниковом микрорезонаторе

Показано, что для развития пороговой неустойчивости поляритон-поляритонного рассеяния в планарном полупроводниковом микрорезонаторе при когерентном импульсном возбуждении выше нижней поляритонной ветви необходима минимальная длительность накачки порядка нескольких десятков пикосекунд: заселенность поляритонных мод в областях параметрической неустойчивости должна нарасти от уровня шума до определенного значения, сравнимого с заселенностью возбуждаемой моды.