Интерфейсные $D^{-}$ комплексы в двумерной электронной системе

Методом неупругого рассеяния света исследован спектр возбуждений двумерной электронной системы в высококачественных AlGaAs/GaAs квантовых ямах. Идентифицированы новые линии неупругого рассеяния света возбуждений интерфейсных $D^{-}$ комплексов – объектов, в которых два электрона, локализованных в квантовой яме, связываются с заряженной примесью, расположенной на интерфейсе квантовой ямы. Обнаружено, что основное состояние интерфейсных $D^{-}$ комплексов изменяется в магнитном поле, перпендикулярном плоскости квантовой ямы, со спин-синглетного на спин-триплетное аналогично тому, как изменяется основное состояние системы двух электронов, локализованных в гармоническом потенциале.