Поглощение терагерцового излучения в гетероструктурах Ge/Si(001) с квантовыми точками

В интервале частот $0.3$–$1.2$ ТГц при комнатной температуре выполнены первые измерения терагерцовых спектров динамической проводимости и коэффициента поглощения излучения в германий-кремниевых гетероструктурах с массивами hut-кластеров Ge (квантовыми точками). Обнаружено, что значения эффективной динамической проводимости и эффективного коэффициента поглощения излучения в гетероструктуре за счет наличия в ней германиевых квантовых точек значительно превосходят соответствующие величины как объемного монокристаллического Ge, так и гетероструктур Ge/Si(001), не содержащих массивов квантовых точек. Обсуждаются возможные микроскопические механизмы обнаруженного возрастания поглощения в массивах квантовых точек.