Аннотация:
Продемонстрирована возможность использования фазового контраста в атомно-силовой микроскопии для получения адекватной информации о плотности и характере распределения антифазных доменов на поверхности пленок CdHgTe, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на поверхности Si(301). Сопоставление фазовых изображений поверхности пленок в атомно-силовом микроскопе с изображениями структурных дефектов в приповерхностной области в просвечивающем электронном микроскопе позволило установить связь между микроструктурой и микроморфологией пленок.