Термоактивационная отрицательная фотопроводимость ниже $6$ К в гетероструктурах $p$-GaAs/Al$_{0.5}$Ga$_{0.5}$As; влияние одноосного сжатия

В гетероструктурах $p$-GaAs/Al$_{0.5}$Ga$_{0.5}$As:Be обнаружена термоактивационная отрицательная фотопроводимость, которая возникает при облучении красным светом, существует ниже $6$ К и сопровождается сильным падением концентрации и подвижности 2D дырок в квантовой яме с понижением температуры, особенно в условиях одноосного сжатия. Показано, что это явление хорошо количественно описывается существованием на расстоянии около $7$ нм от гетерограницы слоя глубоких донороподобных ловушек с низкой величиной термоактивационного барьера $E_B= 3.0\pm 0.5\,$мэВ, который не меняется с деформацией. Предполагается, что такими ловушками могут быть диффундирующие из активного слоя атомы акцепторной примеси Be, находящиеся в межузельном пространстве.