Е. И. Лонская, О. А. Рябушкин, “Поперечный перенос носителей заряда в полупроводниковых селективно-легированных гетероструктурах GaAs/AlGaAs при продольном протекании тока”, Письма в ЖЭТФ, 2005, том 82, выпуск 10,страницы 747

Эта публикация цитируется в 4 статьях

КОНДЕНСИРОВАННЫЕ СРЕДЫ

Поперечный перенос носителей заряда в полупроводниковых селективно-легированных гетероструктурах GaAs/AlGaAs при продольном протекании тока

Е. И. Лонская^a, О. А. Рябушкин^ab

^a Институт радиотехники и электроники РАН, 141190 Фрязино, Московская обл., Россия
^b Московский физико-технический институт (государственный университет)

Аннотация: Исследовались спектры фотоотражения селективно-легированных гетероструктур GaAs/AlGaAs при пропускании постоянного электрического тока вдоль слоев структуры. Разработанная модель спектров позволила вычислить изменения внутренних поперечных электрических полей при протекании продольного тока. Экспериментально доказано, что даже слабый разогрев электронов в таких структурах приводит к пространственному перераспределению электронов в направлении, поперечном слоям гетероструктуры.

PACS: \vspace*{-3mm}73.40.Kp, 78.40.Fy, 78.66.Fd

Поступила в редакцию: 17.10.2005