Аннотация:
Исследована фотолюминесценция (ФЛ) квантовых точек GaN в матрице AlN. Обнаружено, что максимум линии ФЛ не сдвигается в зависимости от мощности лазерного возбуждения. Из спектров нестационарной ФЛ было установлено, что кинетика затухания носит неэкспоненциальный характер и закон затухания зависит от спектрального диапазона. Экспериментальные данные объяснены в рамках модели, учитывающей сильное встроенное электрическое поле в вюрцитных структурах и транспорт носителей заряда между ними.