Аннотация:
Исследована кинетика спин-ориентированного газа межъямных экситонов в GaAs/AlGaAs двойных квантовых ямах ($n-i-n$ гетероструктуры). Изучалась температурная зависимость времени спиновой релаксации экситонов, у которых фотовозбужденные электрон и дырка пространственно разделены между соседними квантовыми ямами. Для этого использовалось импульсное, циркулярно-поляризованное резонансное фотовозбуждение внутриямных, $1sHH$-экситонов с помощью фемтосекундного перестраиваемого по частоте лазера. Обнаружено резкое увеличение скорости спиновой релаксации межъямных экситонов при изменении температуры в интервале от 2 до 3.6 К. Найденное явление связывается с косвенным доказательством когерентности коллективной фазы межъямных экситонов при температурах ниже критической.