А. А. Синченко, Ю. И. Латышев, П. Монсо, “Особенности магнитосопротивления квазиодномерного проводника с волной зарядовой плотности NbSe$_3$ при различной ориентации магнитного поля”, Письма в ЖЭТФ, 2005, том 81, выпуск 3,страницы 162

Эта публикация цитируется в 7 статьях

КОНДЕНСИРОВАННЫЕ СРЕДЫ

Особенности магнитосопротивления квазиодномерного проводника с волной зарядовой плотности NbSe$_3$ при различной ориентации магнитного поля

А. А. Синченко^a, Ю. И. Латышев^b, П. Монсо^c

^a Московский инженерно-физический институт, 115409 Москва, Россия
^b Институт радиотехники и электроники РАН, 103907 Москва, Россия
^c Centre de Recherches sur les tres Basses Temperatures, BP 166, 38042 Grenoble, France

Аннотация: Измерены полевые зависимости магнитосопротивления монокристаллов NbSe$_3$ при различной ориентации магнитного поля. Показана возможность исследования поверхности Ферми по зависимости фазы осцилляций Шубникова–де Гааза от угла поворота индукции магнитного поля. Полученные данные указывают на преимущественную ориентацию вдоль проводящих цепочек квазиимпульсов носителей, неконденсированных в волну зарядовой плотности.

PACS: 71.45.Lr, 73.40.Ns, 74.80 Fp

Поступила в редакцию: 27.12.2004