Аннотация:
Показано, что в гетероструктурах с квантовыми ямами, помещёнными в постоянное магнитное поле, ортогональное их плоскости, динамическая дифференциальная проводимость должна существенно падать при значительно меньших амплитудах переменного электрического поля, чем в случае обычного полупроводника. Данный эффект может быть использован, например, для создания низкопорогового насыщающегося поглотителя для электромагнитного излучения с частотой в несколько десятков ГГц.