Аккумуляционный зарядовый слой на поверхности $n$-GaN (0001) с ультратонкими Ва покрытиями

Исследована адсорбция Ва на поверхности GaN(0001) $n$-типа. Обнаружено, что субмонослойные покрытия Ва вызывают кардинальные изменения электронных свойств поверхности с образованием зарядового аккумуляционного слоя в области приповерхностного изгиба зон. Найдена фотоэмиссия при возбуждении системы Ва/$n$-GaN светом из области прозрачности GaN. Определено, что минимальное значение работы выхода соответствует $\sim1.90\,$эВ при Ва покрытии $\sim0.4\,$ML. В спектрах поверхностной фотоэмиссии обнаружены две поверхностные зоны, индуцированные адсорбцией Ва.