RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики // Архив

Письма в ЖЭТФ, 2005, том 81, выпуск 11, страницы 721–723 (Mi jetpl1769)

Эта публикация цитируется в 11 статьях

КОНДЕНСИРОВАННЫЕ СРЕДЫ

Двузонная проводимость ZrO$_2$, синтезированного методом молекулярно-лучевой эпитаксии

Д. В. Гриценкоa, С. C. Шаймеевa, М. А. Ламинa, О. П. Пчеляковa, В. А. Гриценкоa, В. Г. Лифшицb

a Институт физики полупроводников Сибирского отделения РАН, 630090 Новосибирск, Россия
b Институт автоматики и процессов управления Дальневосточного отделения РАН, 690041 Владивосток, Россия

Аннотация: С помощью экспериментов по инжекции неосновных носителей из кремния $n$- и $p$-типов определен вклад электронов и дырок в проводимость ZrO$_2$ в структуре Si/ZrO$_2$/Al. Установлено, что в проводимость ZrO$_2$ дают вклад электроны и дырки: проводимость ZrO$_2$ является двузонной.

PACS: 77.22.Jp, 77.55.+f, 77.84.Bw

Поступила в редакцию: 05.05.2005


 Англоязычная версия: Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters, 2005, 81:11, 587–589

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024