Расщепление резонансных уровней двухбарьерных структур в сильном высокочастотном электрическом поле

Для несимметричных двухбарьерных резонансно-туннельных структур с тонкими высокими барьерами исследованы зависимости ширины и формы резонансных уровней от амплитуды резонансного высокочастотного поля и особенности электронного транспорта в условиях баллистического прохождения электронов вблизи резонансных уровней. Обнаружено, что в зависимости от амплитуды поля резонансный уровень может вначале заметно расширяться, а затем расщепляться на два абсолютно прозрачных уровня. Найдены условия, при которых и нерезонансные каналы рассеяния вблизи уровня могут становиться абсолютно прозрачными.