Сурфактантные свойства цезия в молекулярно-лучевой эпитаксии GaAs(100)

Экспериментально и расчетами из первых принципов изучен эффект уменьшения энергии связи поверхностных атомов мышьяка при адсорбции Cs на As-стабилизированную поверхность GaAs(001)-(2$\times$4). Cs-индуцированное перераспределение заряда на поверхностных атомах вызывает уменьшение электронной плотности в связи As-Ga верхнего слоя поверхности GaAs(001), что уменьшает энергию связи As-Ga и, как следствие, приводит к уменьшению энергии активации диффузии и десорбции атомов мышьяка. Увеличение коэффициента диффузии поверхностных атомов наряду со свойством Cs сегрегировать на поверхность растущей пленки полупроводника позволили использовать цезий в качестве сурфактанта при низкотемпературном росте GaAs методом молекулярно лучевой эпитаксии.