Формирование кластеров Ge на поверхности Si(111)–Bi–$\sqrt{3}\times\sqrt{3}$

Методом сканирующей туннельной микроскопии продемонстрирована возможность формирования плотного массива однородных по размеру кластеров Ge на поверхности Si(111) в присутствии сурфактанта Bi. Показано, что осаждение германия при комнатной температуре приводит к образованию кластеров двух типов. Кластеры из $2$–$4$ атомов имеют высоту в один монослой и подвижны на слое висмута. Второй тип, бислойные кластеры из 8–10 атомов, после отжига при $400$–$500{}^\circ$С переходят в эпитаксиальные островки. Рассмотрены модели вероятных атомных структур бислойных кластеров с учетом их расположения относительно тримеров Bi. Обнаружено, что вероятность замещения атомов Ge атомами Si при образовании кластеров не превышает $20\%$.