В. С. Багаев, В. С. Кривобок, С. Н. Николаев, Е. Е. Онищенко, М. Л. Скориков, А. В. Новиков, Д. Н. Лобанов, “Влияние барьера для электронов на конденсацию экситонов и многочастичных состояний в квантовых ямах SiGe/Si”, Письма в ЖЭТФ, 2011, том 94, выпуск 1,страницы 63

Эта публикация цитируется в 30 статьях

КОНДЕНСИРОВАННОЕ СОСТОЯНИЕ

Влияние барьера для электронов на конденсацию экситонов и многочастичных состояний в квантовых ямах SiGe/Si

В. С. Багаев^a, В. С. Кривобок^a, С. Н. Николаев^a, Е. Е. Онищенко^a, М. Л. Скориков^a, А. В. Новиков^b, Д. Н. Лобанов^b

^a Физический институт им. П. Н. Лебедева РАН
^b Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород

Аннотация: Продемонстрировано влияние барьера для электронов в слое SiGe на работу выхода и равновесную концентрацию квазидвумерной конденсированной фазы, образующейся в квантовых ямах SiGe/Si. При величине барьера, близкой к критической для образования электронно-дырочной жидкости, обнаружен новый канал рекомбинации, обладающий нестандартными свойствами.

Поступила в редакцию: 11.05.2011