RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики // Архив

Письма в ЖЭТФ, 2011, том 94, выпуск 3, страницы 220–223 (Mi jetpl1978)

Эта публикация цитируется в 7 статьях

КОНДЕНСИРОВАННОЕ СОСТОЯНИЕ

Изучение атомной и электронной структуры аморфного нитрида кремния и дефектов в нем

С. С. Некрашевич

Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск

Аннотация: С помощью молекулярной динамики Кар-Паринелло методом охлаждения из расплава смоделирована структура аморфного нитрида кремния. Выявлено несколько типов координации дефектов Si–Si. Обнаружено, что помимо “обычных” Si–Si-связей, в аморфной структуре присутствует значительное количество двойных Si–Si связей (Si–Si–Si дефектов).

Поступила в редакцию: 08.07.2010
Исправленный вариант: 06.06.2011


 Англоязычная версия: Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters, 2011, 94:3, 202–205

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024