RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики // Архив

Письма в ЖЭТФ, 2011, том 94, выпуск 6, страницы 477–480 (Mi jetpl2028)

Эта публикация цитируется в 6 статьях

КОНДЕНСИРОВАННОЕ СОСТОЯНИЕ

Влияние дислокаций на форму островков при росте кремния на оксидированной поверхности Si(111)

А. А. Шкляевab, К. Н. Романюкab, А. В. Латышевab, А. В. Аржанниковc

a Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
b Новосибирский государственный университет
c Институт ядерной физики им. Г. И. Будкера СО РАН, г. Новосибирск

Аннотация: Методом сканирующей туннельной микроскопии исследован процесс формирования дислокационных и бездислокационных островков кремния при росте в отсутствие механических напряжений. Округлая форма островков, полученных при температурах роста $400$$500$ $^\circ$С на оксидированной поверхности Si(111), ассоциируется с наличием в них дислокаций. Перенос атомов с оксидированной поверхности в островки происходит благодаря барьеру потенциальной энергии на границе SiO$_2$/Si. В форме островков, выращенных при $500$$550$ $^\circ$С, преобладают грани $\{111\}$ и $\{311\}$. Их появление свидетельствует о лимитировании роста стадией зарождения нового атомного слоя и об отсутствии в островках прорастающих дислокаций.

Поступила в редакцию: 28.07.2011


 Англоязычная версия: Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters, 2011, 94:6, 442–445

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024