Стабильность поверхности (0001) топологического изолятора Bi$^2$Se$^3$

Методами рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии, атомно-силовой и сканирующей туннельной микроскопии и спектроскопии продемонстрирована инертность поверхности скола (0001) монокристаллического Bi$_{2}$Se$_{3}$ к окислению: после месяца хранения образцов на воздухе на поверхности не образуется собственных оксидов висмута и селена. Получены атомно-гладкие поверхности макроскопических размеров (${\sim}\,1\,$см$^{2}$) со средней квадратичной шероховатостью менее $0.1$ нм и атомным разрешением структуры (1$\times$1)-(0001) Bi$_{2}$Se$_{3}$. Измерение туннельной проводимости выявило квазилинейную зависимость поверхностной плотности состояний от энергии в запрещенной зоне Bi$_{2}$Se$_{3}$.