Переход от сильной к слабой локализации в отщепленной примесной зоне в двумерных структурах $p$-GaAs/AlGaAs

В двумерных модуляционно легированных структурах GaAs/Al$_{0.3}$Ga$_{0.7}$As наблюдался кроссовер от сильно локализационного поведения к слабой локализации (WL–SL) с ростом концентрации примесей в яме. При этом наблюдалось изменение характера низкотемпературной зависимости проводимости (от экспоненциальной к логарифмической), а также изменение знака магнетосопротивления (от линейного отрицательного к корневому положительному). Для 2D структур показано, что этот переход происходит в примесной зоне, отделенной от валентной зоны щелью подвижности, тогда как значение эффективной массы в примесной зоне больше, чем в валентной зоне.