RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики // Архив

Письма в ЖЭТФ, 2004, том 80, выпуск 5, страницы 385–388 (Mi jetpl2107)

Эта публикация цитируется в 2 статьях

КОНДЕНСИРОВАННЫЕ СРЕДЫ

Влияние одноосного статического давления на поведение акцепторной примеси алюминия в кремнии

Т. Н. Мамедовa, Д. Андрейкаb, Д. Г. Андриановc, Д. Герлахd, В. Н. Горелкинe, К. И. Грицайa, В. А. Жуковa, А. В. Стойковad, У. Циммерманнd

a Объединенный институт ядерных исследований, 141980 Дубна, Московская обл., Россия
b University Babes-Bolyai, 3400 Cluj-Napoca, Romania
c Государственный научно-исследовательский и проектный институт редкометаллической промышленности "Гиредмет", 109017 Москва, Россия
d Paul Scherrer Institut, CH-5232 Villigen PSI, Switzerland
e Московский физико-технический институт, 141700 Долгопрудный, Московская обл., Россия

Аннотация: Представлены результаты исследования влияния одноосного давления на поведение мелких акцепторных центров алюминия в кремнии. Примесные атомы $_\mu $Al в образце кристаллического кремния с примесью фосфора $(1.6 \cdot10^{13}\,$см$^{-3}$ – первый образец, $1.9\cdot10^{13}\,$см$^{-3}$ – второй образец) создавались путем имплантации отрицательных мюонов. Поляризация мюонов была исследована в поперечном спину мюона магнитном поле величиной 2.5 кГс в диапазоне температур 10–300 К. Направление выбранной оси кристалла ([111] в первом образце, [100] – во втором), внешнего магнитного поля и начальной поляризации спина мюона были взаимноперпендикулярны. Обнаружено, что внешнее давление, приложенное вдоль указанной оси кристалла, приводит к изменению как абсолютной величины скорости релаксации магнитного момента акцепторного центра, так и характера ее температурной зависимости.

PACS: 71.55.Cn, 76.75.+i

Поступила в редакцию: 22.07.2004


 Англоязычная версия: Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters, 2004, 80:5, 339–342

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024