Переход приповерхностного $\delta$-слоя туннельной структуры Al/$\delta$(Si)–GaAs в диэлектрическое состояние под давлением

Измерены туннельная и латеральная проводимости туннельной структуры Al/GaAs с приповерхностным слоем $\delta$-легирования кремнием при гелиевых температурах под гидростатическим давлением до $3$ ГПа. Обнаружен переход $\delta$-слоя в диэлектрическое состояние при давлении $\approx 2$ ГПа. Туннельное сопротивление растет при этом монотонно (в логарифмическом масштабе), а туннельная аномалия сопротивления при нулевом смещении проходит через резкий пик. Эти результаты интерпретируются в рамках представлений о влиянии давления на зонную структуру и поведение DX-уровней.