Аномальное рассеяние и каналирование рентгеновского излучения внутри полых микрокапиллярных структур

Исследованы рентгеновские Si $L_{2,3}$ – спектры XANES и спектры отражения, полученные при скользящем падении излучения на стеки каналов микроканальных пластин. В длинноволновой рентгеновской области при аномальном рассеянии в окрестности $L$-краев поглощения кремния обнаружено каналирование вторичного излучения, спектральный состав которого не изменяется на выходе микроканалов. Поверхностно связанное распространение рентгеновской флуоресценции, возбуждаемой внутри микроканалов, возникает при углах падения, меньших $\theta\approx\theta_c/2$.