Элементный состав нанокластеров, формируемых импульсным облучением низкоэнергетическими ионами в процессе эпитаксии Ge/Si

Методом комбинационного рассеяния света экспериментально исследованы многослойные кремниевые структуры со встроенными слоями нанокластеров Ge, сформированных импульсным воздействием пучком низкоэнергетических собственных ионов в процессе эпитаксии из молекулярных пучков. Установлено, что ионно-стимулированное зарождение и последующий рост позволяют получать нанокластеры Ge, практически не содержащие Si.