Воздействие электронного пучка на эпитаксиальные слои CaF$_2$ и BaF$_2$ на Si

На подложках Si(111) методом молекулярно-лучевой эпитаксии последовательно выращены атомарно гладкие слои CaF$_2$ и BaF$_2$. В местах воздействия электронного пучка дифрактометра при анализе кристаллической структуры поверхности во время роста при последующем наблюдении методом атомно-силовой микроскопии выявлены макродефекты типа пор. Их образование связано с разложением фторидов под действием высокоэнергетичных электронов, сопровождающимся десорбцией фтора и дрейфовым током положительных ионов из мест стока электронного заряда.