Образование дефектов в углеродной луковице при облучении ионами Ar

Методом молекулярной динамики исследуется взаимодействие иона Ar с углеродной луковицей C$_{60}@$C$_{240}@$C$_{540}$ и пучка ионов Ar с углеродной луковицей C$_{60}@$C$_{240}@$C$_{540}@$C$_{960}$. Исследуется энергетический порог образования вакансии в пентагоне фуллереновой оболочки луковицы в двух температурных режимах (300 и 1000 К). Обнаружены и описываются основные типы дефектов, образующиеся в луковичной структуре при различных энергиях бомбардирующих ионов. Показано, что наименее устойчивыми областями в углеродной луковице под воздействием облучения являются пятиугольные циклы и их ближайшее окружение. Полученные результаты служат прямым подтверждением возможности образования алмазной структуры при облучении углеродных луковиц ионами.