А. А. Пахневич, В. В. Бакин, А. В. Язьков, Г. Э. Шайблер, С. В. Шевелев, О. Е. Терещенко, А. С. Ярошевич, А. С. Терехов, “Энергетические распределения фотоэлектронов, эмитированных из $p$-GaN(Cs,O) с эффективным отрицательным электронным сродством”, Письма в ЖЭТФ, 2004, том 79, выпуск 10,страницы 592

Эта публикация цитируется в 20 статьях

КОНДЕНСИРОВАННЫЕ СРЕДЫ

Энергетические распределения фотоэлектронов, эмитированных из $p$-GaN(Cs,O) с эффективным отрицательным электронным сродством

А. А. Пахневич^ab, В. В. Бакин^a, А. В. Язьков^b, Г. Э. Шайблер^a, С. В. Шевелев^a, О. Е. Терещенко^ab, А. С. Ярошевич^a, А. С. Терехов^ab

^a Институт физики полупроводников Сибирского отделения РАН, 630090 Новосибирск, Россия
^b Новосибирский государственный университет, 630090 Новосибирск, Россия

Аннотация: Изучены энергетические распределения фотоэлектронов, эмитированных в вакуум из валентной зоны и из локализованных состояний в запрещенной зоне $p$-GaN(Cs,O) с эффективным отрицательным электронным сродством. Показано, что на низкоэнергетическом пороге внешнего фотоэффекта доминирующим механизмом фотоэмиссии является фототермическое возбуждение электронов из локализованных состояний в запрещенной зоне $p$-GaN(Cs,O), лежащих ниже уровня Ферми.

PACS: 67.57.Lm, 76.60.-k

Поступила в редакцию: 05.04.2004