Нелинейная рефракция в нанокристаллических пленках карбида кремния

Приводятся результаты исследования нелинейной рефракции в нанокристаллических пленках SiC, полученных методом прямого осаждения ионов углерода и кремния с энергией 100 эВ при температурах подложки от 900 до 1150 $^\circ$С. Показано, что пленки обладают большой нелинейностью третьего порядка $\chi^{(3)}\sim10^{-6}$ ед. CGSE ($\lambda=1064$ нм, $\tau_p=10$ нс).