Аннотация:
Обнаружено, что освещение тонких кристаллов квазиодномерного проводника с волной зарядовой плотности ТаS$_3$ приводит к значительным изменениям линейной ($G$) и нелинейной проводимости. Увеличение $G$ сопровождается подавлением нелинейной проводимости, ростом порогового поля $E_T$, возникновением переключений и гистерезиса в нелинейной проводимости. Эффекты, наблюдающиеся в нелинейной проводимости, связываются с уменьшением модуля упругости волны зарядовой плотности при освещении, что приводит, в частности, к возникновению зависимости $E_T\propto G^{1/3}$, ожидаемой для случая одномерного пиннинга.