Антисвязывающее основное состояние дырок в двойных вертикально связанных квантовых точках Ge/Si

Экспериментально доказано существование антисвязывающего основного состояния дырок в искусственных молекулах, образованных вертикально связанными квантовыми точками Ge/Si. Это явление отсутствует в природных молекулах, а также в двойных квантовых точках, содержащих электроны, и является следствием спин-орбитального взаимодействия и деформационных эффектов в валентной зоне вертикально совмещенных квантовых точек.