Динамика откольной абляции поверхности GaAs под действием фемтосекундных лазерных импульсов

Откол слоя расплава нанометровой толщины на поверхности GaAs при ее абляции фемтосекундными лазерными импульсами происходит с субнаносекундными задержками и скоростями отлета, зависящими от плотности энергии лазерного излучения, после его полного теплового (гидродинамического) расширения/акустической релаксации. Положение поверхности откола в расплаве определяется глубиной формирования двумерного подповерхностного слоя нанопузырей (нанопены), тогда как сильнее прогретый поверхностный слой расплава выше нанопены частично удаляется в виде парокапельной смеси. На стадии теплового расширения в слое расплава наблюдаются акустические реверберации, которые характеризуют как динамику роста его толщины, так и смещение области кавитации (нанопены) внутри расплава, а кроме того, могут дополнительно стимулировать откол, способствуя кавитации в полностью разгруженном расплаве при прохождении слабой волны разрежения.