Электрооптическая ловушка для диполярных экситонов в GaAs/AlAs диоде Шоттки с одиночной квантовой ямой

В GaAs/AlAs диоде Шоттки с одиночной GaAs квантовой ямой шириной $400$ Å реализована электрооптическая ловушка для пространственно-непрямых диполярных экситонов. В условиях приложенного к затвору напряжения смещения ловушка для экситонов возникала при кольцевом освещении структуры непрерывным либо импульсным лазером, генерирующим горячие электронно-дырочные пары в квантовой яме. Барьер для экситонов, накапливаемых внутри освещаемого кольца, возникал вследствие экранирования приложенного электрического поля неравновесными носителями непосредственно в области возбуждения. Экситоны накапливались внутри кольца за счет амбиполярного дрейфа носителей и диполь-дипольного экситонного отталкивания в области оптической накачки. Для накапливаемых таким образом диполярных экситонов в середине кольцевой электрооптической ловушки наблюдалось существенное сужение линии люминесценции с ростом плотности возбуждения, указывающее на их коллективное поведение.